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电子元器件详细资料 » IC[27086] » SI1051X-T1-GE3
型号:SI1051X-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:SOT-563,SOT-666描述:MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V
电流_连续漏极(Id)0a025000C-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C122 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9.45nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds560pF @ 4V
功率_最大236mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SC-89-6
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市科雨电子有限公司汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号)
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SI1051X-T1-GE3相关型号

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